存储器实验——基于STM32的非易失性存储测试

在本次存储器实验中，我们以STM32微控制器为核心，设计了一个针对非易失性存储器（如EEPROM）的性能测试平台。实验主要分为两个部分：首先是对存储器读写速度的测量；其次是验证数据在断电后的保存能力。通过编程实现对EEPROM的数据操作，并利用示波器记录操作过程中的时间延迟，分析其实际性能是否满足应用需求。

随后，我们将实验设备置于不同环境条件下进行多次测试，包括高温、低温以及常规室温状态，以评估存储器在极端条件下的稳定性。结果显示，该EEPROM能够在-40℃至85℃范围内保持正常工作，且数据无丢失现象。此外，通过对多次循环写入/擦除操作的结果分析发现，其寿命远超预期标准值，表明产品质量可靠。

本实验不仅加深了我们对存储技术的理解，也为后续嵌入式系统开发提供了宝贵经验。